RTS-8型四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法*標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機(jī)、測試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。

軟件測試系統(tǒng)是一個(gè)運(yùn)行在計(jì)算機(jī)上擁有友好測試界面的用戶程序，通過此測試程序輔助使用戶簡便地進(jìn)行各項(xiàng)測試及獲得測試數(shù)據(jù)并對(duì)測試數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。
測試程序控制四探針測試儀進(jìn)行測量并采集測試數(shù)據(jù)，把采集到的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)中加以分析，然后把測試數(shù)據(jù)以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。用戶可對(duì)采集到的數(shù)據(jù)在電腦中保存或者打印以備日后參考和查看，還可以把采集到的數(shù)據(jù)輸出到Excel中，讓用戶對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析

技 術(shù) 指 標(biāo) ：

測量范圍：電阻率：10-5～105 Ω.cm(可擴(kuò)展)；  
方塊電阻：10-4～106 Ω/□(可擴(kuò)展)； 
電導(dǎo)率：10-5～105  s/cm； 電阻：10-5～105  Ω；

可測晶片直徑

140mmX150mm(配S-2A型測試臺(tái))；
200mmX200mm(配S-2B型測試臺(tái))；

400mmX500mm(配S-2C型測試臺(tái))；

恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表

量程及表示形式：000.00～199.99mV；    
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；

顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、量程自動(dòng)顯示；

四探針探頭基本指標(biāo)針：

間絕緣電阻：≥1000MΩ；

機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(力)；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù) (見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測量相對(duì)誤差
( 按JJG508-87進(jìn)行)  0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

整機(jī)測量*相對(duì)誤差(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%

整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤5%

測試模式：可連接電腦測試也可不連接電腦測試

軟件功能（選配）軟件可記錄、保存、打印每一點(diǎn)的測試數(shù)據(jù)，并統(tǒng)計(jì)分析測試數(shù)據(jù)*值、*小值、平均值、*百分變化、平均百分變化、徑向不均勻度、并將數(shù)據(jù)生成直方圖，也可把測試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行各種數(shù)據(jù)分析。軟件還可選擇自動(dòng)測量功能，根據(jù)樣品電阻大小自動(dòng)選擇適合電流量程檔測試。

計(jì)算機(jī)通訊接口：并口，高速并行采集數(shù)據(jù)，連接電腦使用時(shí)采集數(shù)據(jù)到電腦的時(shí)間只需要1.5  秒（在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程檔時(shí)）。

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境溫度：23±2℃；
 相對(duì)濕度：≤65%；
 無高頻干擾；
 無強(qiáng)光直射；